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賓夕法尼亞、MALVERN—2014年12月9日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，發布600VEF系列快速體二極管N溝道功率MOSFET的兩款器件---SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。Vishay Siliconix SiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢復電荷和導通電阻，能夠在工業、電信、計算和可再生能源應用中提高可靠性，節約能源。

今天推出的600V快速體二極管MOSFET采用第二代超級結技術制造，很好地補充了Vishay現有的標準E系列元器件，擴充類似相移橋和LLC轉換器半橋等可用于零電壓開關(ZVS)/軟開關拓撲的產品。

SiHx28N60EF和SiHx33N60EF的反向恢復電荷(Qrr)比標準MOSFET低10倍以上，可在這些應用中提高可靠性。低反向恢復電荷使器件能夠更快地再次隔離完全擊穿電壓，有助于避免因擊穿和熱過應力而失效。另外，減小Qrr使器件的反向恢復損耗低于標準的MOSFET。

28A SiHx28N60EF和33A SiHx33N60EF有4種封裝，分別具有123Ω和98Ω的超低導通電阻及柵極電荷，能夠在太陽能逆變器、服務器和通信電源系統、ATX/銀盒PC開關電源、焊接設備、UPS、電池充電器、半導體生產設備，以及LED和HID照明等高功率、高性能的開關電源應用里實現極低的傳導損耗和開關損耗，從而節約能源。

這些器件可承受雪崩和整流模式里的高能脈沖，保證極限值100%通過UIS測試。MEOSFET符合RoHS，無鹵素。

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VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com