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賓夕法尼亞、MALVERN—2014年12月9日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布600VEF系列快速體二極管N溝道功率MOSFET的兩款器件---SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。Vishay Siliconix SiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢復(fù)電荷和導(dǎo)通電阻，能夠在工業(yè)、電信、計(jì)算和可再生能源應(yīng)用中提高可靠性，節(jié)約能源。

今天推出的600V快速體二極管MOSFET采用第二代超級(jí)結(jié)技術(shù)制造，很好地補(bǔ)充了Vishay現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)E系列元器件，擴(kuò)充類似相移橋和LLC轉(zhuǎn)換器半橋等可用于零電壓開關(guān)(ZVS)/軟開關(guān)拓?fù)涞漠a(chǎn)品。

SiHx28N60EF和SiHx33N60EF的反向恢復(fù)電荷(Qrr)比標(biāo)準(zhǔn)MOSFET低10倍以上，可在這些應(yīng)用中提高可靠性。低反向恢復(fù)電荷使器件能夠更快地再次隔離完全擊穿電壓，有助于避免因擊穿和熱過應(yīng)力而失效。另外，減小Qrr使器件的反向恢復(fù)損耗低于標(biāo)準(zhǔn)的MOSFET。

28A SiHx28N60EF和33A SiHx33N60EF有4種封裝，分別具有123Ω和98Ω的超低導(dǎo)通電阻及柵極電荷，能夠在太陽能逆變器、服務(wù)器和通信電源系統(tǒng)、ATX/銀盒PC開關(guān)電源、焊接設(shè)備、UPS、電池充電器、半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，以及LED和HID照明等高功率、高性能的開關(guān)電源應(yīng)用里實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗，從而節(jié)約能源。

這些器件可承受雪崩和整流模式里的高能脈沖，保證極限值100%通過UIS測(cè)試。MEOSFET符合RoHS，無鹵素。

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VISHAY簡(jiǎn)介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com