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推出A、B和T外形尺寸，具有470μF高電容和25mΩ低ESR

賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 7 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，持續(xù)擴(kuò)充其vPolyTan?的T55系列表面貼裝聚合物鉭式電容器家族產(chǎn)品，陸續(xù)推出A、B和T(低高度B外形的最大高度為1.2mm)外形尺寸，有8種新性能規(guī)格的該系列器件。 Vishay Polytech T55系列充分利用Vishay領(lǐng)先的封裝技術(shù)和近期在鉭聚合物技術(shù)上的投入成果，電容顯著提高，ESR大大降低，可用于計(jì)算機(jī)、通信和工業(yè)應(yīng)用。

2.5V電壓下，B外形電容器的電容高達(dá)470μF，ESR為25mΩ，電容為330μF的電容器的ESR也較低，為25mΩ。6.3V電壓下，A和T外形尺寸的器件改善了ESR，100μF器件的ESR為70mΩ，33μF和220μF的B外形器件的ESR分別為40mΩ和35mΩ。10V電壓時(shí)，47μF的B外形尺寸器件的ESR低至70mΩ。

T55電容器的低ESR要?dú)w功于其聚合物負(fù)極，這種負(fù)極使電容器的性能遠(yuǎn)優(yōu)于采用二氧化錳材料的器件。另外，這些器件具有高達(dá)2.28A IRMS的紋波電流和低內(nèi)阻，可提高充電和放電特性。電容器適用于計(jì)算機(jī)、平板電腦、智能手機(jī)、無(wú)線數(shù)據(jù)卡和固態(tài)硬盤里的電源管理、電池解耦和儲(chǔ)能。

T55系列有J、P、A、B和T等5種小外形尺寸，電容從3.3μF到470μF，電壓等級(jí)從2.5V到10V，電容公差為±20%。器件在+25℃和100kHz下具有500mΩ～25mΩ的超低ESR，可在-55℃～+105℃溫度范圍內(nèi)工作，溫度超過(guò)+85℃時(shí)需要電壓降額。

T55系列電容器采用無(wú)鉛端接，符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素。器件適合高速自動(dòng)拾放設(shè)備，潮濕敏感度等級(jí)(MSL)為3。

增強(qiáng)型T55系列現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為八周。